这款内存使用的是被称为FBGA封装模式的颗粒封装技术 。
Fine-Pitch Ball Grid Array:细间距球栅阵列 。FBGA(通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构, 使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸 。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写, 即球栅阵列封装 。
采用BGA技术封装的内存, 可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍, BGA与TSOP相比, 具有更小的体积, 更好的散热性能和电性能 。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升, 采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下, 体积只有TSOP封装的三分之一;另外, 与传统TSOP封装方式相比, BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径 。
BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色, 金士顿、勤茂科技等领先内存制造商已经推出了采用CSP封装技术的内存产品 。CSP, 全称为Chip Scale Package, 即芯片尺寸封装的意思 。作为新一代的芯片封装技术, 在BGA、TSOP的基础上, CSP的性能又有了革命性的提升 。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况, 绝对尺寸也仅有32平方毫米, 约为普通的BGA的1/3, 仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6 。这样在相同体积下, 内存条可以装入更多的芯片, 从而增大单条容量 。也就是说, 与BGA封装相比, 同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍 , CSP封装内存不但体积小, 同时也更薄, 其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm, 大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性, 线路阻抗显著减小, 芯片速度也随之得到大幅度的提高 。CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高 。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多(TSOP最多304根,BGA以600根为限 , CSP原则上可以制造1000根), 这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多 。此外, CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离, 其衰减随之减少, 芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升, 这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20% 。
在CSP的封装方式中, 内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上, 由于焊点和PCB板的接触面积较大, 所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去;而传统的TSOP封装方式, 内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的, 焊点和PCB板的接触面积较小, 使得芯片向PCB板传热就相对困难 。CSP封装可以从背面散热, 且热效率良好, CSP的热阻为35℃/W, 而TSOP热阻40℃/W 。测试结果显示, 运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%, 而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3% 。另外由于CSP芯片结构紧凑, 电路冗余度低, 因此它也省去了很多不必要的电功率消耗, 致使芯片耗电量和工作温度相对降低 。目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺, 良品率比较低 。而如果将制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话, 良品率将大大提高 。而要达到这种工艺水平, 采用CSP封装方式则是不可避免的 。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋
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